二维室温铁磁材料Fe3GaTe2中DMI的成因与斯格明子形成

湖南大学“岳麓材料杰出学者论坛”第314期

题 目：二维室温铁磁材料Fe3GaTe2中DMI的成因与斯格明子形成

报告人：于霆 教授

地 点：材料科学与工程学院中四栋一楼会议室

时 间：2025年11月28日(周五) 下午14:30-16: 00

主持人：王笑 教授

邀请人：材料科学与工程学院

报告摘要：二维室温铁磁材料Fe₃GaTe₂的出现为研究拓扑磁序及其在新一代自旋存储/逻辑器件领域的应用提供了全新的平台。近两年一些研究报道了在Fe₃GaTe₂中观测到室温稳定存在的斯格明子及斯格明子晶格。然而Fe₃GaTe₂中心对称的晶体结构如何产生可观的Dzyaloshinskii–Moriya相互作用（DMI）是一个亟待回答的问题。在Fe₃GaTe₂的相关报道中广泛使用场冷（FC）方法产生斯格明子，而这一过程不可避免对样品进行一定程度的热处理。通过研究我们发现，场冷以及类似热处理过程会使得Fe₃GaTe₂晶体表面形成均匀稳定的FeTe₂薄层，并导致一定程度的界面非对称性。这种由界面引起的对称性破缺提高了DMI，促成了斯格明子的形成与稳定。同时我们还发现，通过调整场冷温度控制界面析出效应，可以调制斯格明子产生的能量势垒，并在一定程度上实现通过应力场调控斯格明子及斯格明子晶格的形成与演化。

报告人简介：于霆，教授（二级），博士生导师，国家级人才项目入选者，国家重点研发计划“纳米前沿”重点专项首席科学家，吉林大学学士（物理基地班），新加国立大学理学博士（物理系）。2005年9月至2020年12月在新加坡南洋理工大学物理系历任讲师、助理教授、南洋助理教授、南洋副教授 (终身职位)、教授。2021年1月至今在武汉大学物理科学与技术学院任教授（二级）。长期从事二维材料物性研究与性能调控，及其在光电子、光通讯和信息存储等方面新型、高效器件的应用开发。尤其针对可用于新一代信息通信与存储的二维材料光学、光电、光磁特性等领域做出许多引领性工作。多次主办和协办国际会议，受邀做过60余次大会及邀请报告。曾获南洋科研创新奖 （2008）， 新加坡国家青年科学家奖 （2009），国家研究基金会研究员奖（2010）， 杰出青年科学家（新加坡唯一青年学者代表出席达沃斯2010世界经济论坛 ）， 新加坡物理学会纳米技术奖 （2011）等等。申请多项关于近场显微光学和纳米碳复合材料在锂离子电池应用等方面的国际专利。在国际一流杂志发表学术论文380余篇,他引38.000多次, H因子110。多次入选全球高被引科学家，爱思唯尔（Elsevier）全球前2%顶尖科学家（World’s Top 2% Scientists）终身科学影响力榜单。