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“Silicon-based III-V Quantum-Dot Laser Diodes for Silicon Photonics”

发布者:Huiyun Liu发布时间:2018-07-12浏览量:

湖南大学天马材料研究论坛131

  目:“Silicon-based III-V Quantum-Dot Laser Diodes for Silicon Photonics”

报告人: Huiyun Liu ProfessorDepartment of Electronic and Electrical Engineering, University College London

  点:工程实验大楼244240多媒体报告厅

  间:2018716日(周一)下午3:00-4:30

主持人: 潘安练 教授

邀请人: 材料科学与工程学院

承办人: 材料学院天马材料研究论坛日常工作小组



报告人简介:

Huiyun Liu200111月博士毕业于中科院半导体所,论文题目:三五族量子点材料与激光二极管。其后加入谢菲尔德大学物理科学研究委员会国家中心,并于2007年被授予英国皇家学会研究员。同年,任职英国伦敦大学学院电子与电气工程部高级讲师(相当于副教授),于2012年晋升为半导体光子学主席。主要从事分子束外延生长低维半导体纳米结构(如量子点、纳米线),并基于这些纳米结构展开新型光电器件(激光器、探测器、太阳能电池、调制器等)的探索研究。在国际顶级期刊发表论文300余篇,且持有多项硅光子学方面的专利。


报告摘要:

硅是最重要的半导体材料之一。尽管硅已成为现代电子学的支柱,由于硅块体具有间接带隙,导致它作为发射器效率极低,因此无法在光发射源中得到广泛的应用。在硅基底上直接外延生长的三五族纳米结构,最有希望突破在硅平台实现光子器件的瓶颈。而三五族材料在四族(硅)平台上实现单片集成电路,最大的问题是如何解决所形成的高密度穿透位错。穿透位错是由三五族材料与四族基底之间的晶格失配引起的,例如,GaAs与硅之间有4%的晶格失配。穿透位错的衍生,会在三五族外延活动区产生高比率的无辐射复合中心。为了阻止穿透位错的衍生,运用InGaAs/GaAs 应变层超晶格形成的缺陷过滤层,可以显著地减小穿透位错的密度(从三五族与硅界面处约1010/cm2减小至在三五族活动区小于106/cm2)。作为零维材料,量子点在三个维度均具有量子限域效应,拥有类狄拉克函数的态密度。因此,量子点激光器具有阈值电流低、温度影响小、穿透位错干扰低的优点,是形成硅基三五族激光器活性区的理想选择。在过去几年,伦敦大学学院在硅基高性能量子点激光器的开发中积累了大量的经验。此次,我将展示我们最近在硅基InAs/GaAs 量子点激光器的研究进展。在连续光激发下,室温下激光器可以获得 62.5 A/cm2的低阈值电流密度,相当于在五个量子点应变层中12.5 A/cm2。激射波长在1315 nm。在注入电流密度为650 A/cm2条件下,所测的输出功率高达105 mW。在恒定连续波驱动电流(210 mA)和26℃测试条件下,寿命可达158小时。这在硅基光子学和光电子学集成上实现了重大迈步,同时为三五族器件在硅平台的集成提供了一个简单有效的方法。


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